삼성전자의 HBM4(고대역폭메모리 4세대) 로직 다이 테스트 생산 수율이 40%를 넘어서면서 HBM 기술 경쟁에서 뒤처졌던 삼성전자의 개발 및 양산에 탄력이 붙을 것이라는 분석이 나오고 있다.
HBM4 로직 다이 수율 현황
- 4nm 공정 수율: 삼성전자 파운드리 사업부의 4㎚(나노미터) 공정으로 생산되는 로직 다이의 테스트 생산 수율이 40%를 넘어선 것으로 알려졌다. 이는 4㎚ 공정으로 양산 중인 바이두 칩의 초기 테스트 생산 수율이 10%대 중후반이었던 것에 비해 고무적인 결과로 평가된다.
- 전영현 부회장 격려: 전영현 삼성전자 DS(반도체)부문장(부회장)은 최근 파운드리 사업부의 성과에 대해 격려 메시지를 전달한 것으로 알려졌다.
- 신규 공정 도입: 파운드리 사업부는 로직 다이 생산에 성능 개선을 위한 신규 공정을 대거 도입했다.
HBM4 로직 다이의 중요성
- 맞춤형 HBM 시장 대응: HBM4 로직 다이에는 파운드리 미세 공정이 적용되어 칩 성능을 높일 수 있을 뿐 아니라, 고객사가 원하는 설계에 맞춰 생산이 가능해 글로벌 빅테크 기업을 중심으로 수요가 급증하고 있는 ‘맞춤형 HBM’ 시장에 유연하게 대응할 수 있다.
- 경쟁 우위 확보: SK하이닉스와 마이크론은 파운드리 업체인 TSMC에 의존해야 하지만, 삼성전자는 자체 파운드리 기술력을 보유해 경쟁 우위를 확보할 수 있다.
- 1c D램 확보: 삼성전자 HBM4의 사업 성패는 메모리 사업부가 개발하는 10㎚급 6세대(1c) D램에 달려있다. HBM4 12단 제품에는 로직 다이와 함께 1c D램이 탑재된다. 삼성전자가 1c D램을 안정적으로 양산할 수 있다면 HBM4 성능에서 우위를 점할 수 있다. SK하이닉스는 HBM4에 이전 세대 D램인 1b D램을 활용하고 있다.
해결 과제
- 패키징 기술: 1c D램과 로직 다이를 한 데 묶어 최종 상품 형태로 제작하는 패키징 기술이 중요하다. 삼성전자는 SK하이닉스와 다른 패키징 공법을 사용하고 있는데, 12단 HBM 제품까지 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식인 ‘첨단 열압착 비전도성 접착 필름(TC-NCF)’ 기술을 활용한다. 다만 이 방식은 발열 통제에 어려움이 있다는 평가를 받고 있다.
- D램 안정화: 삼성전자 입장에서 HBM에 탑재되는 D램과 이를 패키징하는 기술을 안정화해야 하는 과제가 남아있다.
- 플럭스리스 본딩: 마이크론은 HBM4(6세대)에서 플럭스리스 본딩을 적용할 가능성이 높아지고 있으며, 올 2~3분기께 플럭스리스 본더를 도입해 품질 테스트에 들어갈 것으로 파악됐다.
경쟁사 동향
- SK하이닉스: SK하이닉스는 70%가 넘는 HBM 시장 점유율을 바탕으로 지난 1분기 창립 이래 최초로 D램 시장 왕좌에 올랐다. 1분기 D램 시장에서 SK하이닉스는 36%의 점유율을 차지했으며, 삼성전자는 34%로 뒤를 이었다. SK하이닉스는 HBM4 12단 제품을 생산해 고객사에 샘플을 보낸 상황이다.
- 미국 제재: 트럼프 행정부는 엔비디아의 H20칩의 중국 수출을 제한, 엔비디아의 주가가 급락했다.
주가 영향
- 주가 하락: 엔비디아의 대중국 수출 제한으로 인해 삼성전자와 SK하이닉스 주가도 하락세를 보이고 있다.
- 긍정적 전망: HBM4 로직 다이 수율 증가 소식은 삼성전자 주가에 긍정적인 영향을 미칠 수 있지만, 미국 정부의 대중국 반도체 수출 규제, D램 시장 경쟁 심화 등 복합적인 요인이 작용할 수 있다.
투자 관련 참고 사항
- 투자의견: 25개 증권사의 투자의견은 매수이며, 목표주가는 2025년 3월 20일 기준 91,931원이다.
- 주가 전망: 2025년 4월에는 주가가 하락할 것으로 전망되지만, 7월부터 회복세를 보일 것이라는 예측도 있다.
- 수익률: 1개월 수익률은 -4.16%, 3개월 수익률은 -15.87%, 6개월 수익률은 -35.05%, 1년 수익률은 -29.14%이다.
Disclaimer: 주식 투자는 위험을 수반하므로 투자 결정은 신중하게 해야 합니다. 본 정보는 투자 자문이 아니며, 투자 결정에 대한 책임은 본인에게 있습니다.
반응형